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苹果迎接AI浪潮,酝酿为iPhone改用QLC NAND:存储上限至2TB

更新:2024-07-25 10:51:19 阅读:428
 7 月 25 日消息,集邦咨询于 7 月 22 日发布市场研报,透露苹果公司正酝酿使用 QLC NAND 闪存,最早 2026 年用于 iPhone 产品中,让其存储上限达到 2TB。

QLC 和 TLC

TLC 的全称是 Triple Level Cell(三层单元),进一步增加存储密度,每个存储单元存储三位信息。

TLC NAND 的成本甚至低于 MLC NAND,使其成为消费电子产品和主流 SSD 的有吸引力选择。

QLC 的全称是 Quad-level cells(四层单元),每个单元可储存 4bit 数据,跟 TLC 相比,QLC 的储存密度提高了 33%。

QLC NAND 通常用于入门级消费者固态硬盘和大容量存储应用中,QLC NAND 的耐久度最低,通常 P / E Cycle(Program Erase Cycle)在 100 到 1000 之间。

制造商实施先进的错误校正机制、预留配置(OP)和 Wear leveling 以维持可靠性。

虽然 QLC NAND 可能不适合写入密集型工作负载,但它为日常使用提供了充足的存储容量,使固态硬碟在更广泛的用户范围内触手可及。

早有曝料苹果正推进 QLC NAND

最早曝料信息称苹果计划在 iPhone 14 系列上采用 QLC NAND,果粉迷今年 1 月报道,苹果可能会在 iPhone 16 Pro 系列上采用 QLC NAND。

集邦咨询预估认为苹果公司正在加速推进 QLC NAND 换代,从而将内置存储上限提高到 2TB。

不过需要注意的是,虽然 QLC 的密度比 TLC 高,但速度却比后者慢;而且单个单元中存在更多的单元,它们的耐用性较差,这意味着它们能处理的写入周期比 TLC 少。

迎接大语言模型

苹果公司还在探索如何使用 NAND 闪存,而不是内存来存储大型语言模型(LLMs),从而能够在本地运行更多 AI 任务,因此过渡到 QLC NAND 可能有助于改善 Apple Intelligence 的表现。(故渊)

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